A2T21H360-24SR6 | NXP Semiconductors A2T21H360-24SR6 | A2T21H360-24SR6 Inventory, Best Pricing

A2T21H360-24SR6

Panua

Kwa Marejeleo Pekee

Nambari ya Sehemu	A2T21H360-24SR6
LIXINC Part #	A2T21H360-24SR6
Mtengenezaji	NXP Semiconductors
Kategoria	semiconductor tofauti › transistors - fets, mosfets - rf
Maelezo	IC TRANS RF LDMOS
Mzunguko wa maisha	Inayotumika
RoHS	Hakuna Taarifa za RoHS
EDA/CAD Models	A2T21H360-24SR6 Alama ya PCB na Alama
Maghala	Marekani, Ulaya, China, Hong Kong SAR
Uwasilishaji Unaokadiriwa	Oct 19 - Oct 23 2024(Chagua Usafirishaji wa Haraka)
Udhamini	Hadi mwaka 1 [Dhamana-Chache]*
Malipo
Usafirishaji

A2T21H360-24SR6 Vipimo

Nambari ya Sehemu:	A2T21H360-24SR6
Chapa:	NXP Semiconductors
Mzunguko wa maisha:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	semiconductor tofauti
Kitengo kidogo:	transistors - fets, mosfets - rf
Mtengenezaji:	NXP Semiconductors
mfululizo:	-
kifurushi:	Tape & Reel (TR)
hali ya sehemu:	Active
aina ya transistor:	LDMOS
masafa:	2.14GHz
faida:	16.2dB
voltage - mtihani:	28 V
Ukadiriaji wa sasa (amps):	-
takwimu ya kelele:	-
sasa - mtihani:	500 mA
nguvu - pato:	63W
voltage - lilipimwa:	65 V
kifurushi / kesi:	NI-1230-4LS2L
kifurushi cha kifaa cha wasambazaji:	NI-1230-4LS2L

MD7P19130HR3	RF 2-ELEMENT, S BAND, N-CHANNEL	3212 Zaidi juu ya Agizo
MRF6S21190HR3	RF S BAND, N-CHANNEL	985 Zaidi juu ya Agizo
MRF6VP41KHR5	RF N-CHANNEL, MOSFET	1397 Zaidi juu ya Agizo
CGH25120F	120W GAN HEMT 28V 2.5-2.7GHZ FET	869 Zaidi juu ya Agizo
A2T27S007NT1	AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO	891 Zaidi juu ya Agizo
MMBFJ309	RF SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRA	4919 Zaidi juu ya Agizo
LET9045C	MOSFET N-CH 80V 9A M-250	891 Zaidi juu ya Agizo
PD84002	FET RF 25V 870MHZ	2873 Zaidi juu ya Agizo
UF2820P	MOSFET 20W 28V 100-500MHZ	885 Zaidi juu ya Agizo
BLP05H6700XRGY	RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP	941 Zaidi juu ya Agizo
CLF1G0035S-100,112	RF MOSFET HEMT 50V LDMOST	908 Zaidi juu ya Agizo
MRF1517NT1	FET RF 25V 520MHZ PLD-1.5	1486 Zaidi juu ya Agizo
BLA6H0912L-1000U	RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539A	984 Zaidi juu ya Agizo