BR25A512FJ-3MGE2 | ROHM Semiconductor BR25A512FJ-3MGE2 | BR25A512FJ-3MGE2 Inventory, Best Pricing

BR25A512FJ-3MGE2

Panua

Kwa Marejeleo Pekee

Nambari ya Sehemu	BR25A512FJ-3MGE2
LIXINC Part #	BR25A512FJ-3MGE2
Mtengenezaji	ROHM Semiconductor
Kategoria	nyaya zilizounganishwa › kumbukumbu
Maelezo	IC EEPROM 512KBIT SPI 8SOPJ
Mzunguko wa maisha	Inayotumika
RoHS	Hakuna Taarifa za RoHS
EDA/CAD Models	BR25A512FJ-3MGE2 Alama ya PCB na Alama
Maghala	Marekani, Ulaya, China, Hong Kong SAR
Uwasilishaji Unaokadiriwa	Oct 24 - Oct 28 2024(Chagua Usafirishaji wa Haraka)
Udhamini	Hadi mwaka 1 [Dhamana-Chache]*
Malipo
Usafirishaji

BR25A512FJ-3MGE2 Vipimo

Nambari ya Sehemu:	BR25A512FJ-3MGE2
Chapa:	ROHM Semiconductor
Mzunguko wa maisha:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	nyaya zilizounganishwa
Kitengo kidogo:	kumbukumbu
Mtengenezaji:	ROHM Semiconductor
mfululizo:	-
kifurushi:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
hali ya sehemu:	Active
aina ya kumbukumbu:	Non-Volatile
muundo wa kumbukumbu:	EEPROM
teknolojia:	EEPROM
saizi ya kumbukumbu:	512Kb (64K x 8)
kiolesura cha kumbukumbu:	SPI
mzunguko wa saa:	10 MHz
andika wakati wa mzunguko - neno, ukurasa:	5ms
muda wa kufikia:	-
voltage - ugavi:	2.5V ~ 5.5V
joto la uendeshaji:	-40°C ~ 105°C (TA)
aina ya ufungaji:	Surface Mount
kifurushi / kesi:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
kifurushi cha kifaa cha wasambazaji:	8-SOP-J