CYDM128B08-55BVXI | Rochester Electronics CYDM128B08-55BVXI | CYDM128B08-55BVXI Inventory, Best Pricing

CYDM128B08-55BVXI

Panua

Kwa Marejeleo Pekee

Nambari ya Sehemu	CYDM128B08-55BVXI
LIXINC Part #	CYDM128B08-55BVXI
Mtengenezaji	Rochester Electronics
Kategoria	nyaya zilizounganishwa › kumbukumbu
Maelezo	IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA
Mzunguko wa maisha	Inayotumika
RoHS	Hakuna Taarifa za RoHS
EDA/CAD Models	CYDM128B08-55BVXI Alama ya PCB na Alama
Maghala	Marekani, Ulaya, China, Hong Kong SAR
Uwasilishaji Unaokadiriwa	Oct 18 - Oct 22 2024(Chagua Usafirishaji wa Haraka)
Udhamini	Hadi mwaka 1 [Dhamana-Chache]*
Malipo
Usafirishaji

CYDM128B08-55BVXI Vipimo

Nambari ya Sehemu:	CYDM128B08-55BVXI
Chapa:	Rochester Electronics
Mzunguko wa maisha:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	nyaya zilizounganishwa
Kitengo kidogo:	kumbukumbu
Mtengenezaji:	Rochester Electronics
mfululizo:	-
kifurushi:	Tray
hali ya sehemu:	Obsolete
aina ya kumbukumbu:	Volatile
muundo wa kumbukumbu:	SRAM
teknolojia:	SRAM - Dual Port, MoBL
saizi ya kumbukumbu:	128Kb (16K x 8)
kiolesura cha kumbukumbu:	Parallel
mzunguko wa saa:	-
andika wakati wa mzunguko - neno, ukurasa:	55ns
muda wa kufikia:	55 ns
voltage - ugavi:	1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 3V ~ 3.6V
joto la uendeshaji:	-40°C ~ 85°C (TA)
aina ya ufungaji:	Surface Mount
kifurushi / kesi:	100-VFBGA
kifurushi cha kifaa cha wasambazaji:	100-VFBGA (6x6)