MT53E384M32D2DS-053 WT:E TR | Micron Technology MT53E384M32D2DS-053 WT:E TR | MT53E384M32D2DS-053 WT:E TR Inventory, Best Pricing

MT53E384M32D2DS-053 WT:E TR

Panua

Kwa Marejeleo Pekee

Nambari ya Sehemu	MT53E384M32D2DS-053 WT:E TR
LIXINC Part #	MT53E384M32D2DS-053 WT:E TR
Mtengenezaji	Micron Technology
Kategoria	nyaya zilizounganishwa › kumbukumbu
Maelezo	IC DRAM 12GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
Mzunguko wa maisha	Inayotumika
RoHS	Hakuna Taarifa za RoHS
EDA/CAD Models	MT53E384M32D2DS-053 WT:E TR Alama ya PCB na Alama
Maghala	Marekani, Ulaya, China, Hong Kong SAR
Uwasilishaji Unaokadiriwa	Oct 19 - Oct 23 2024(Chagua Usafirishaji wa Haraka)
Udhamini	Hadi mwaka 1 [Dhamana-Chache]*
Malipo
Usafirishaji

MT53E384M32D2DS-053 WT:E TR Vipimo

Nambari ya Sehemu:	MT53E384M32D2DS-053 WT:E TR
Chapa:	Micron Technology
Mzunguko wa maisha:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	nyaya zilizounganishwa
Kitengo kidogo:	kumbukumbu
Mtengenezaji:	Micron Technology
mfululizo:	-
kifurushi:	Tape & Reel (TR)
hali ya sehemu:	Active
aina ya kumbukumbu:	Volatile
muundo wa kumbukumbu:	DRAM
teknolojia:	SDRAM - Mobile LPDDR4
saizi ya kumbukumbu:	12Gb (384M x 32)
kiolesura cha kumbukumbu:	-
mzunguko wa saa:	1.866 GHz
andika wakati wa mzunguko - neno, ukurasa:	-
muda wa kufikia:	-
voltage - ugavi:	1.1V
joto la uendeshaji:	-30°C ~ 85°C (TC)
aina ya ufungaji:	Surface Mount
kifurushi / kesi:	200-WFBGA
kifurushi cha kifaa cha wasambazaji:	200-WFBGA (10x14.5)