AS4C8M16D1-5BINTR | Alliance Memory, Inc. AS4C8M16D1-5BINTR | AS4C8M16D1-5BINTR Inventory, Best Pricing

AS4C8M16D1-5BINTR

Panua

Kwa Marejeleo Pekee

Nambari ya Sehemu	AS4C8M16D1-5BINTR
LIXINC Part #	AS4C8M16D1-5BINTR
Mtengenezaji	Alliance Memory, Inc.
Kategoria	nyaya zilizounganishwa › kumbukumbu
Maelezo	IC DRAM 128MBIT PARALLEL 60TFBGA
Mzunguko wa maisha	Inayotumika
RoHS	Hakuna Taarifa za RoHS
EDA/CAD Models	AS4C8M16D1-5BINTR Alama ya PCB na Alama
Maghala	Marekani, Ulaya, China, Hong Kong SAR
Uwasilishaji Unaokadiriwa	Oct 18 - Oct 22 2024(Chagua Usafirishaji wa Haraka)
Udhamini	Hadi mwaka 1 [Dhamana-Chache]*
Malipo
Usafirishaji

AS4C8M16D1-5BINTR Vipimo

Nambari ya Sehemu:	AS4C8M16D1-5BINTR
Chapa:	Alliance Memory, Inc.
Mzunguko wa maisha:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	nyaya zilizounganishwa
Kitengo kidogo:	kumbukumbu
Mtengenezaji:	Alliance Memory, Inc.
mfululizo:	-
kifurushi:	Tape & Reel (TR)
hali ya sehemu:	Active
aina ya kumbukumbu:	Volatile
muundo wa kumbukumbu:	DRAM
teknolojia:	SDRAM - DDR
saizi ya kumbukumbu:	128Mb (8M x 16)
kiolesura cha kumbukumbu:	Parallel
mzunguko wa saa:	200 MHz
andika wakati wa mzunguko - neno, ukurasa:	15ns
muda wa kufikia:	700 ps
voltage - ugavi:	2.3V ~ 2.7V
joto la uendeshaji:	-40°C ~ 85°C (TA)
aina ya ufungaji:	Surface Mount
kifurushi / kesi:	60-TFBGA
kifurushi cha kifaa cha wasambazaji:	60-TFBGA (8x13)