MT29F2G08ABBEAH4-IT:E TR | Micron Technology MT29F2G08ABBEAH4-IT:E TR | MT29F2G08ABBEAH4-IT:E TR Inventory, Best Pricing

MT29F2G08ABBEAH4-IT:E TR

Panua

Kwa Marejeleo Pekee

Nambari ya Sehemu	MT29F2G08ABBEAH4-IT:E TR
LIXINC Part #	MT29F2G08ABBEAH4-IT:E TR
Mtengenezaji	Micron Technology
Kategoria	nyaya zilizounganishwa › kumbukumbu
Maelezo	IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
Mzunguko wa maisha	Inayotumika
RoHS	Hakuna Taarifa za RoHS
EDA/CAD Models	MT29F2G08ABBEAH4-IT:E TR Alama ya PCB na Alama
Maghala	Marekani, Ulaya, China, Hong Kong SAR
Uwasilishaji Unaokadiriwa	Nov 01 - Nov 05 2024(Chagua Usafirishaji wa Haraka)
Udhamini	Hadi mwaka 1 [Dhamana-Chache]*
Malipo
Usafirishaji

MT29F2G08ABBEAH4-IT:E TR Vipimo

Nambari ya Sehemu:	MT29F2G08ABBEAH4-IT:E TR
Chapa:	Micron Technology
Mzunguko wa maisha:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	nyaya zilizounganishwa
Kitengo kidogo:	kumbukumbu
Mtengenezaji:	Micron Technology
mfululizo:	-
kifurushi:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
hali ya sehemu:	Active
aina ya kumbukumbu:	Non-Volatile
muundo wa kumbukumbu:	FLASH
teknolojia:	FLASH - NAND
saizi ya kumbukumbu:	2Gb (256M x 8)
kiolesura cha kumbukumbu:	Parallel
mzunguko wa saa:	-
andika wakati wa mzunguko - neno, ukurasa:	-
muda wa kufikia:	-
voltage - ugavi:	1.7V ~ 1.95V
joto la uendeshaji:	-40°C ~ 85°C (TA)
aina ya ufungaji:	Surface Mount
kifurushi / kesi:	63-VFBGA
kifurushi cha kifaa cha wasambazaji:	63-VFBGA