MT53D512M16D1DS-046 WT:D | Micron Technology MT53D512M16D1DS-046 WT:D | MT53D512M16D1DS-046 WT:D Inventory, Best Pricing

MT53D512M16D1DS-046 WT:D

Panua

Kwa Marejeleo Pekee

Nambari ya Sehemu	MT53D512M16D1DS-046 WT:D
LIXINC Part #	MT53D512M16D1DS-046 WT:D
Mtengenezaji	Micron Technology
Kategoria	nyaya zilizounganishwa › kumbukumbu
Maelezo	IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
Mzunguko wa maisha	Inayotumika
RoHS	Hakuna Taarifa za RoHS
EDA/CAD Models	MT53D512M16D1DS-046 WT:D Alama ya PCB na Alama
Maghala	Marekani, Ulaya, China, Hong Kong SAR
Uwasilishaji Unaokadiriwa	Nov 01 - Nov 05 2024(Chagua Usafirishaji wa Haraka)
Udhamini	Hadi mwaka 1 [Dhamana-Chache]*
Malipo
Usafirishaji

MT53D512M16D1DS-046 WT:D Vipimo

Nambari ya Sehemu:	MT53D512M16D1DS-046 WT:D
Chapa:	Micron Technology
Mzunguko wa maisha:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	nyaya zilizounganishwa
Kitengo kidogo:	kumbukumbu
Mtengenezaji:	Micron Technology
mfululizo:	Automotive, AEC-Q100
kifurushi:	Tray
hali ya sehemu:	Active
aina ya kumbukumbu:	Volatile
muundo wa kumbukumbu:	DRAM
teknolojia:	SDRAM - Mobile LPDDR4
saizi ya kumbukumbu:	8Gb (512M x 16)
kiolesura cha kumbukumbu:	-
mzunguko wa saa:	2.133 GHz
andika wakati wa mzunguko - neno, ukurasa:	-
muda wa kufikia:	-
voltage - ugavi:	1.1V
joto la uendeshaji:	-30°C ~ 85°C (TC)
aina ya ufungaji:	Surface Mount
kifurushi / kesi:	200-WFBGA
kifurushi cha kifaa cha wasambazaji:	200-WFBGA (10x14.5)