TH58BVG2S3HTAI0 | Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.) TH58BVG2S3HTAI0

TH58BVG2S3HTAI0

Panua

Kwa Marejeleo Pekee

Nambari ya Sehemu	TH58BVG2S3HTAI0
LIXINC Part #	TH58BVG2S3HTAI0
Mtengenezaji	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Kategoria	nyaya zilizounganishwa › kumbukumbu
Maelezo	IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
Mzunguko wa maisha	Inayotumika
RoHS	Hakuna Taarifa za RoHS
EDA/CAD Models	TH58BVG2S3HTAI0 Alama ya PCB na Alama
Maghala	Marekani, Ulaya, China, Hong Kong SAR
Uwasilishaji Unaokadiriwa	Nov 01 - Nov 05 2024(Chagua Usafirishaji wa Haraka)
Udhamini	Hadi mwaka 1 [Dhamana-Chache]*
Malipo
Usafirishaji

TH58BVG2S3HTAI0 Vipimo

Nambari ya Sehemu:	TH58BVG2S3HTAI0
Chapa:	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Mzunguko wa maisha:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	nyaya zilizounganishwa
Kitengo kidogo:	kumbukumbu
Mtengenezaji:	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
mfululizo:	Benand™
kifurushi:	Tray
hali ya sehemu:	Active
aina ya kumbukumbu:	Non-Volatile
muundo wa kumbukumbu:	FLASH
teknolojia:	FLASH - NAND (SLC)
saizi ya kumbukumbu:	4Gb (512M x 8)
kiolesura cha kumbukumbu:	Parallel
mzunguko wa saa:	-
andika wakati wa mzunguko - neno, ukurasa:	25ns
muda wa kufikia:	25 ns
voltage - ugavi:	2.7V ~ 3.6V
joto la uendeshaji:	-40°C ~ 85°C (TA)
aina ya ufungaji:	Surface Mount
kifurushi / kesi:	48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
kifurushi cha kifaa cha wasambazaji:	48-TSOP I