EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR | Micron Technology EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR | EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR Inventory, Best Pricing

EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR

Panua

Kwa Marejeleo Pekee

Nambari ya Sehemu	EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR
LIXINC Part #	EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR
Mtengenezaji	Micron Technology
Kategoria	nyaya zilizounganishwa › kumbukumbu
Maelezo	IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
Mzunguko wa maisha	Inayotumika
RoHS	Hakuna Taarifa za RoHS
EDA/CAD Models	EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR Alama ya PCB na Alama
Maghala	Marekani, Ulaya, China, Hong Kong SAR
Uwasilishaji Unaokadiriwa	Oct 26 - Oct 30 2024(Chagua Usafirishaji wa Haraka)
Udhamini	Hadi mwaka 1 [Dhamana-Chache]*
Malipo
Usafirishaji

EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR Vipimo

Nambari ya Sehemu:	EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR
Chapa:	Micron Technology
Mzunguko wa maisha:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	nyaya zilizounganishwa
Kitengo kidogo:	kumbukumbu
Mtengenezaji:	Micron Technology
mfululizo:	-
kifurushi:	Tape & Reel (TR)
hali ya sehemu:	Not For New Designs
aina ya kumbukumbu:	Volatile
muundo wa kumbukumbu:	DRAM
teknolojia:	SDRAM - Mobile LPDDR2
saizi ya kumbukumbu:	512Mb (16M x 32)
kiolesura cha kumbukumbu:	Parallel
mzunguko wa saa:	533 MHz
andika wakati wa mzunguko - neno, ukurasa:	-
muda wa kufikia:	-
voltage - ugavi:	1.14V ~ 1.95V
joto la uendeshaji:	-40°C ~ 85°C (TC)
aina ya ufungaji:	Surface Mount
kifurushi / kesi:	134-VFBGA
kifurushi cha kifaa cha wasambazaji:	134-VFBGA (10x11.5)