NV25080DWHFT3G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NV25080DWHFT3G

NV25080DWHFT3G

Panua

Kwa Marejeleo Pekee

Nambari ya Sehemu	NV25080DWHFT3G
LIXINC Part #	NV25080DWHFT3G
Mtengenezaji	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	nyaya zilizounganishwa › kumbukumbu
Maelezo	IC EEPROM 8KBIT SPI 10MHZ 8SOIC
Mzunguko wa maisha	Inayotumika
RoHS	Hakuna Taarifa za RoHS
EDA/CAD Models	NV25080DWHFT3G Alama ya PCB na Alama
Maghala	Marekani, Ulaya, China, Hong Kong SAR
Uwasilishaji Unaokadiriwa	Oct 20 - Oct 24 2024(Chagua Usafirishaji wa Haraka)
Udhamini	Hadi mwaka 1 [Dhamana-Chache]*
Malipo
Usafirishaji

NV25080DWHFT3G Vipimo

Nambari ya Sehemu:	NV25080DWHFT3G
Chapa:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Mzunguko wa maisha:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	nyaya zilizounganishwa
Kitengo kidogo:	kumbukumbu
Mtengenezaji:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
mfululizo:	Automotive, AEC-Q100
kifurushi:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
hali ya sehemu:	Active
aina ya kumbukumbu:	Non-Volatile
muundo wa kumbukumbu:	EEPROM
teknolojia:	-
saizi ya kumbukumbu:	8Kb (1K x 8)
kiolesura cha kumbukumbu:	SPI
mzunguko wa saa:	10 MHz
andika wakati wa mzunguko - neno, ukurasa:	4ms
muda wa kufikia:	40 ns
voltage - ugavi:	2.5V ~ 5.5V
joto la uendeshaji:	-40°C ~ 150°C (TA)
aina ya ufungaji:	Surface Mount
kifurushi / kesi:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
kifurushi cha kifaa cha wasambazaji:	8-SOIC