MT47H128M8JN-3:H | Micron Technology MT47H128M8JN-3:H | MT47H128M8JN-3:H Inventory, Best Pricing

MT47H128M8JN-3:H

Panua

Kwa Marejeleo Pekee

Nambari ya Sehemu	MT47H128M8JN-3:H
LIXINC Part #	MT47H128M8JN-3:H
Mtengenezaji	Micron Technology
Kategoria	nyaya zilizounganishwa › kumbukumbu
Maelezo	IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
Mzunguko wa maisha	Inayotumika
RoHS	Hakuna Taarifa za RoHS
EDA/CAD Models	MT47H128M8JN-3:H Alama ya PCB na Alama
Maghala	Marekani, Ulaya, China, Hong Kong SAR
Uwasilishaji Unaokadiriwa	Oct 31 - Nov 04 2024(Chagua Usafirishaji wa Haraka)
Udhamini	Hadi mwaka 1 [Dhamana-Chache]*
Malipo
Usafirishaji

MT47H128M8JN-3:H Vipimo

Nambari ya Sehemu:	MT47H128M8JN-3:H
Chapa:	Micron Technology
Mzunguko wa maisha:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	nyaya zilizounganishwa
Kitengo kidogo:	kumbukumbu
Mtengenezaji:	Micron Technology
mfululizo:	-
kifurushi:	Tray
hali ya sehemu:	Obsolete
aina ya kumbukumbu:	Volatile
muundo wa kumbukumbu:	DRAM
teknolojia:	SDRAM - DDR2
saizi ya kumbukumbu:	1Gb (128M x 8)
kiolesura cha kumbukumbu:	Parallel
mzunguko wa saa:	333 MHz
andika wakati wa mzunguko - neno, ukurasa:	15ns
muda wa kufikia:	450 ps
voltage - ugavi:	1.7V ~ 1.9V
joto la uendeshaji:	0°C ~ 85°C (TC)
aina ya ufungaji:	Surface Mount
kifurushi / kesi:	60-TFBGA
kifurushi cha kifaa cha wasambazaji:	60-FBGA (8x10)