MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR | Micron Technology MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR | MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR Inventory, Best Pricing

MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR

Panua

Kwa Marejeleo Pekee

Nambari ya Sehemu	MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR
LIXINC Part #	MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR
Mtengenezaji	Micron Technology
Kategoria	nyaya zilizounganishwa › kumbukumbu
Maelezo	IC FLASH 1.125T PARALLEL 132VBGA
Mzunguko wa maisha	Inayotumika
RoHS	Hakuna Taarifa za RoHS
EDA/CAD Models	MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR Alama ya PCB na Alama
Maghala	Marekani, Ulaya, China, Hong Kong SAR
Uwasilishaji Unaokadiriwa	Oct 25 - Oct 29 2024(Chagua Usafirishaji wa Haraka)
Udhamini	Hadi mwaka 1 [Dhamana-Chache]*
Malipo
Usafirishaji

MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR Vipimo

Nambari ya Sehemu:	MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR
Chapa:	Micron Technology
Mzunguko wa maisha:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	nyaya zilizounganishwa
Kitengo kidogo:	kumbukumbu
Mtengenezaji:	Micron Technology
mfululizo:	-
kifurushi:	Tape & Reel (TR)
hali ya sehemu:	Active
aina ya kumbukumbu:	Non-Volatile
muundo wa kumbukumbu:	FLASH
teknolojia:	FLASH - NAND
saizi ya kumbukumbu:	1.125Tb (144G x 8)
kiolesura cha kumbukumbu:	Parallel
mzunguko wa saa:	-
andika wakati wa mzunguko - neno, ukurasa:	-
muda wa kufikia:	-
voltage - ugavi:	2.5V ~ 3.6V
joto la uendeshaji:	0°C ~ 70°C (TA)
aina ya ufungaji:	Surface Mount
kifurushi / kesi:	132-VBGA
kifurushi cha kifaa cha wasambazaji:	132-VBGA (12x18)