MT41K512M8RH-125 V:E TR | Micron Technology MT41K512M8RH-125 V:E TR | MT41K512M8RH-125 V:E TR Inventory, Best Pricing

MT41K512M8RH-125 V:E TR

Panua

Kwa Marejeleo Pekee

Nambari ya Sehemu	MT41K512M8RH-125 V:E TR
LIXINC Part #	MT41K512M8RH-125 V:E TR
Mtengenezaji	Micron Technology
Kategoria	nyaya zilizounganishwa › kumbukumbu
Maelezo	IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
Mzunguko wa maisha	Inayotumika
RoHS	Hakuna Taarifa za RoHS
EDA/CAD Models	MT41K512M8RH-125 V:E TR Alama ya PCB na Alama
Maghala	Marekani, Ulaya, China, Hong Kong SAR
Uwasilishaji Unaokadiriwa	Oct 25 - Oct 29 2024(Chagua Usafirishaji wa Haraka)
Udhamini	Hadi mwaka 1 [Dhamana-Chache]*
Malipo
Usafirishaji

MT41K512M8RH-125 V:E TR Vipimo

Nambari ya Sehemu:	MT41K512M8RH-125 V:E TR
Chapa:	Micron Technology
Mzunguko wa maisha:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	nyaya zilizounganishwa
Kitengo kidogo:	kumbukumbu
Mtengenezaji:	Micron Technology
mfululizo:	-
kifurushi:	Tape & Reel (TR)
hali ya sehemu:	Obsolete
aina ya kumbukumbu:	Volatile
muundo wa kumbukumbu:	DRAM
teknolojia:	SDRAM - DDR3L
saizi ya kumbukumbu:	4Gb (512M x 8)
kiolesura cha kumbukumbu:	Parallel
mzunguko wa saa:	800 MHz
andika wakati wa mzunguko - neno, ukurasa:	-
muda wa kufikia:	13.75 ns
voltage - ugavi:	1.283V ~ 1.45V
joto la uendeshaji:	0°C ~ 95°C (TC)
aina ya ufungaji:	Surface Mount
kifurushi / kesi:	78-TFBGA
kifurushi cha kifaa cha wasambazaji:	78-FBGA (9x10.5)