EDB2432B4MA-1DAUT-F-D | Micron Technology EDB2432B4MA-1DAUT-F-D | EDB2432B4MA-1DAUT-F-D Inventory, Best Pricing

EDB2432B4MA-1DAUT-F-D

Panua

Kwa Marejeleo Pekee

Nambari ya Sehemu	EDB2432B4MA-1DAUT-F-D
LIXINC Part #	EDB2432B4MA-1DAUT-F-D
Mtengenezaji	Micron Technology
Kategoria	nyaya zilizounganishwa › kumbukumbu
Maelezo	IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134VFBGA
Mzunguko wa maisha	Inayotumika
RoHS	Hakuna Taarifa za RoHS
EDA/CAD Models	EDB2432B4MA-1DAUT-F-D Alama ya PCB na Alama
Maghala	Marekani, Ulaya, China, Hong Kong SAR
Uwasilishaji Unaokadiriwa	Oct 27 - Oct 31 2024(Chagua Usafirishaji wa Haraka)
Udhamini	Hadi mwaka 1 [Dhamana-Chache]*
Malipo
Usafirishaji

EDB2432B4MA-1DAUT-F-D Vipimo

Nambari ya Sehemu:	EDB2432B4MA-1DAUT-F-D
Chapa:	Micron Technology
Mzunguko wa maisha:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	nyaya zilizounganishwa
Kitengo kidogo:	kumbukumbu
Mtengenezaji:	Micron Technology
mfululizo:	-
kifurushi:	Bulk
hali ya sehemu:	Last Time Buy
aina ya kumbukumbu:	Volatile
muundo wa kumbukumbu:	DRAM
teknolojia:	SDRAM - Mobile LPDDR2
saizi ya kumbukumbu:	2Gb (64M x 32)
kiolesura cha kumbukumbu:	Parallel
mzunguko wa saa:	533 MHz
andika wakati wa mzunguko - neno, ukurasa:	-
muda wa kufikia:	-
voltage - ugavi:	1.14V ~ 1.95V
joto la uendeshaji:	-40°C ~ 125°C (TC)
aina ya ufungaji:	Surface Mount
kifurushi / kesi:	134-VFBGA
kifurushi cha kifaa cha wasambazaji:	134-VFBGA (10x11.5)