AS4C512M8D3LB-10BCN | Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3LB-10BCN | AS4C512M8D3LB-10BCN Inventory, Best Pricing

AS4C512M8D3LB-10BCN

Panua

Kwa Marejeleo Pekee

Nambari ya Sehemu	AS4C512M8D3LB-10BCN
LIXINC Part #	AS4C512M8D3LB-10BCN
Mtengenezaji	Alliance Memory, Inc.
Kategoria	nyaya zilizounganishwa › kumbukumbu
Maelezo	IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
Mzunguko wa maisha	Inayotumika
RoHS	Hakuna Taarifa za RoHS
EDA/CAD Models	AS4C512M8D3LB-10BCN Alama ya PCB na Alama
Maghala	Marekani, Ulaya, China, Hong Kong SAR
Uwasilishaji Unaokadiriwa	Oct 27 - Oct 31 2024(Chagua Usafirishaji wa Haraka)
Udhamini	Hadi mwaka 1 [Dhamana-Chache]*
Malipo
Usafirishaji

AS4C512M8D3LB-10BCN Vipimo

Nambari ya Sehemu:	AS4C512M8D3LB-10BCN
Chapa:	Alliance Memory, Inc.
Mzunguko wa maisha:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	nyaya zilizounganishwa
Kitengo kidogo:	kumbukumbu
Mtengenezaji:	Alliance Memory, Inc.
mfululizo:	-
kifurushi:	Tray
hali ya sehemu:	Obsolete
aina ya kumbukumbu:	Volatile
muundo wa kumbukumbu:	DRAM
teknolojia:	SDRAM - DDR3L
saizi ya kumbukumbu:	4Gb (512M x 8)
kiolesura cha kumbukumbu:	Parallel
mzunguko wa saa:	933 MHz
andika wakati wa mzunguko - neno, ukurasa:	15ns
muda wa kufikia:	20 ns
voltage - ugavi:	1.283V ~ 1.45V
joto la uendeshaji:	0°C ~ 95°C (TC)
aina ya ufungaji:	Surface Mount
kifurushi / kesi:	78-TFBGA
kifurushi cha kifaa cha wasambazaji:	78-FBGA (9x10.6)