AS4C8M16S-6BIN | Alliance Memory, Inc. AS4C8M16S-6BIN | AS4C8M16S-6BIN Inventory, Best Pricing

AS4C8M16S-6BIN

Panua

Kwa Marejeleo Pekee

Nambari ya Sehemu	AS4C8M16S-6BIN
LIXINC Part #	AS4C8M16S-6BIN
Mtengenezaji	Alliance Memory, Inc.
Kategoria	nyaya zilizounganishwa › kumbukumbu
Maelezo	IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA
Mzunguko wa maisha	Inayotumika
RoHS	Hakuna Taarifa za RoHS
EDA/CAD Models	AS4C8M16S-6BIN Alama ya PCB na Alama
Maghala	Marekani, Ulaya, China, Hong Kong SAR
Uwasilishaji Unaokadiriwa	Oct 19 - Oct 23 2024(Chagua Usafirishaji wa Haraka)
Udhamini	Hadi mwaka 1 [Dhamana-Chache]*
Malipo
Usafirishaji

AS4C8M16S-6BIN Vipimo

Nambari ya Sehemu:	AS4C8M16S-6BIN
Chapa:	Alliance Memory, Inc.
Mzunguko wa maisha:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	nyaya zilizounganishwa
Kitengo kidogo:	kumbukumbu
Mtengenezaji:	Alliance Memory, Inc.
mfululizo:	-
kifurushi:	Tray
hali ya sehemu:	Obsolete
aina ya kumbukumbu:	Volatile
muundo wa kumbukumbu:	DRAM
teknolojia:	SDRAM
saizi ya kumbukumbu:	128Mb (8M x 16)
kiolesura cha kumbukumbu:	Parallel
mzunguko wa saa:	166 MHz
andika wakati wa mzunguko - neno, ukurasa:	2ns
muda wa kufikia:	5 ns
voltage - ugavi:	3V ~ 3.6V
joto la uendeshaji:	-40°C ~ 85°C (TA)
aina ya ufungaji:	Surface Mount
kifurushi / kesi:	54-TFBGA
kifurushi cha kifaa cha wasambazaji:	54-TFBGA (8x8)