EDB8164B4PR-1D-F-D | Micron Technology EDB8164B4PR-1D-F-D | EDB8164B4PR-1D-F-D Inventory, Best Pricing

EDB8164B4PR-1D-F-D

Panua

Kwa Marejeleo Pekee

Nambari ya Sehemu	EDB8164B4PR-1D-F-D
LIXINC Part #	EDB8164B4PR-1D-F-D
Mtengenezaji	Micron Technology
Kategoria	nyaya zilizounganishwa › kumbukumbu
Maelezo	IC DRAM 8GBIT PARALLEL 216FBGA
Mzunguko wa maisha	Inayotumika
RoHS	Hakuna Taarifa za RoHS
EDA/CAD Models	EDB8164B4PR-1D-F-D Alama ya PCB na Alama
Maghala	Marekani, Ulaya, China, Hong Kong SAR
Uwasilishaji Unaokadiriwa	Sep 09 - Sep 13 2024(Chagua Usafirishaji wa Haraka)
Udhamini	Hadi mwaka 1 [Dhamana-Chache]*
Malipo
Usafirishaji

EDB8164B4PR-1D-F-D Vipimo

Nambari ya Sehemu:	EDB8164B4PR-1D-F-D
Chapa:	Micron Technology
Mzunguko wa maisha:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	nyaya zilizounganishwa
Kitengo kidogo:	kumbukumbu
Mtengenezaji:	Micron Technology
mfululizo:	-
kifurushi:	Tray
hali ya sehemu:	Obsolete
aina ya kumbukumbu:	Volatile
muundo wa kumbukumbu:	DRAM
teknolojia:	SDRAM - Mobile LPDDR2
saizi ya kumbukumbu:	8Gb (128M x 64)
kiolesura cha kumbukumbu:	Parallel
mzunguko wa saa:	533 MHz
andika wakati wa mzunguko - neno, ukurasa:	-
muda wa kufikia:	-
voltage - ugavi:	1.14V ~ 1.95V
joto la uendeshaji:	-30°C ~ 85°C (TC)
aina ya ufungaji:	Surface Mount
kifurushi / kesi:	216-WFBGA
kifurushi cha kifaa cha wasambazaji:	216-FBGA (12x12)

Vidokezo vya joto: Tafadhali jaza fomu iliyo hapa chini. Tutawasiliana nawe haraka iwezekanavyo.

Lixinc itatoa bei za ushindani zaidi kwako, tafadhali rejelea nukuu.

[email protected]

LIXINC

Tuma Ujumbe

Tafadhali jisikie huru kuwasiliana nasi kwa maelezo.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015