MT29F4T08EYHBBG9-3R:B TR | Micron Technology MT29F4T08EYHBBG9-3R:B TR | MT29F4T08EYHBBG9-3R:B TR Inventory, Best Pricing

MT29F4T08EYHBBG9-3R:B TR

Panua

Kwa Marejeleo Pekee

Nambari ya Sehemu	MT29F4T08EYHBBG9-3R:B TR
LIXINC Part #	MT29F4T08EYHBBG9-3R:B TR
Mtengenezaji	Micron Technology
Kategoria	nyaya zilizounganishwa › kumbukumbu
Maelezo	IC FLASH 4TB PARALLEL 333MHZ
Mzunguko wa maisha	Inayotumika
RoHS	Hakuna Taarifa za RoHS
EDA/CAD Models	MT29F4T08EYHBBG9-3R:B TR Alama ya PCB na Alama
Maghala	Marekani, Ulaya, China, Hong Kong SAR
Uwasilishaji Unaokadiriwa	Oct 24 - Oct 28 2024(Chagua Usafirishaji wa Haraka)
Udhamini	Hadi mwaka 1 [Dhamana-Chache]*
Malipo
Usafirishaji

MT29F4T08EYHBBG9-3R:B TR Vipimo

Nambari ya Sehemu:	MT29F4T08EYHBBG9-3R:B TR
Chapa:	Micron Technology
Mzunguko wa maisha:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	nyaya zilizounganishwa
Kitengo kidogo:	kumbukumbu
Mtengenezaji:	Micron Technology
mfululizo:	-
kifurushi:	Tape & Reel (TR)
hali ya sehemu:	Active
aina ya kumbukumbu:	Non-Volatile
muundo wa kumbukumbu:	FLASH
teknolojia:	FLASH - NAND
saizi ya kumbukumbu:	4Tb (512G x 8)
kiolesura cha kumbukumbu:	Parallel
mzunguko wa saa:	333 MHz
andika wakati wa mzunguko - neno, ukurasa:	-
muda wa kufikia:	-
voltage - ugavi:	2.5V ~ 3.6V
joto la uendeshaji:	0°C ~ 70°C (TA)
aina ya ufungaji:	-
kifurushi / kesi:	-
kifurushi cha kifaa cha wasambazaji:	-

Vidokezo vya joto: Tafadhali jaza fomu iliyo hapa chini. Tutawasiliana nawe haraka iwezekanavyo.

Lixinc itatoa bei za ushindani zaidi kwako, tafadhali rejelea nukuu.

[email protected]

LIXINC

Tuma Ujumbe

Tafadhali jisikie huru kuwasiliana nasi kwa maelezo.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015