MB85R256GPF-G-BND-ERE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. MB85R256GPF-G-BND-ERE1 | MB85R256GPF-G-BND-ERE1 Inventory, Best Pricing

MB85R256GPF-G-BND-ERE1

Panua

Kwa Marejeleo Pekee

Nambari ya Sehemu	MB85R256GPF-G-BND-ERE1
LIXINC Part #	MB85R256GPF-G-BND-ERE1
Mtengenezaji	Fujitsu Electronics America, Inc.
Kategoria	nyaya zilizounganishwa › kumbukumbu
Maelezo	IC FRAM 256KBIT PARALLEL
Mzunguko wa maisha	Inayotumika
RoHS	Hakuna Taarifa za RoHS
EDA/CAD Models	MB85R256GPF-G-BND-ERE1 Alama ya PCB na Alama
Maghala	Marekani, Ulaya, China, Hong Kong SAR
Uwasilishaji Unaokadiriwa	Oct 26 - Oct 30 2024(Chagua Usafirishaji wa Haraka)
Udhamini	Hadi mwaka 1 [Dhamana-Chache]*
Malipo
Usafirishaji

MB85R256GPF-G-BND-ERE1 Vipimo

Nambari ya Sehemu:	MB85R256GPF-G-BND-ERE1
Chapa:	Fujitsu Electronics America, Inc.
Mzunguko wa maisha:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	nyaya zilizounganishwa
Kitengo kidogo:	kumbukumbu
Mtengenezaji:	Fujitsu Electronics America, Inc.
mfululizo:	-
kifurushi:	Tape & Reel (TR)
hali ya sehemu:	Obsolete
aina ya kumbukumbu:	Non-Volatile
muundo wa kumbukumbu:	FRAM
teknolojia:	FRAM (Ferroelectric RAM)
saizi ya kumbukumbu:	256Kb (32K x 8)
kiolesura cha kumbukumbu:	Parallel
mzunguko wa saa:	-
andika wakati wa mzunguko - neno, ukurasa:	150ns
muda wa kufikia:	150 ns
voltage - ugavi:	2.7V ~ 3.6V
joto la uendeshaji:	-40°C ~ 85°C (TA)
aina ya ufungaji:	-
kifurushi / kesi:	-
kifurushi cha kifaa cha wasambazaji:	-

Vidokezo vya joto: Tafadhali jaza fomu iliyo hapa chini. Tutawasiliana nawe haraka iwezekanavyo.

Lixinc itatoa bei za ushindani zaidi kwako, tafadhali rejelea nukuu.

[email protected]

LIXINC

Tuma Ujumbe

Tafadhali jisikie huru kuwasiliana nasi kwa maelezo.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015