MT53D1024M32D4NQ-046 WT ES:D | Micron Technology MT53D1024M32D4NQ-046 WT ES:D | MT53D1024M32D4NQ-046 WT ES:D Inventory, Best Pricing

MT53D1024M32D4NQ-046 WT ES:D

Panua

Kwa Marejeleo Pekee

Nambari ya Sehemu	MT53D1024M32D4NQ-046 WT ES:D
LIXINC Part #	MT53D1024M32D4NQ-046 WT ES:D
Mtengenezaji	Micron Technology
Kategoria	nyaya zilizounganishwa › kumbukumbu
Maelezo	IC DRAM 32GBIT 2133MHZ 200VFBGA
Mzunguko wa maisha	Inayotumika
RoHS	Hakuna Taarifa za RoHS
EDA/CAD Models	MT53D1024M32D4NQ-046 WT ES:D Alama ya PCB na Alama
Maghala	Marekani, Ulaya, China, Hong Kong SAR
Uwasilishaji Unaokadiriwa	Oct 29 - Nov 02 2024(Chagua Usafirishaji wa Haraka)
Udhamini	Hadi mwaka 1 [Dhamana-Chache]*
Malipo
Usafirishaji

MT53D1024M32D4NQ-046 WT ES:D Vipimo

Nambari ya Sehemu:	MT53D1024M32D4NQ-046 WT ES:D
Chapa:	Micron Technology
Mzunguko wa maisha:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	nyaya zilizounganishwa
Kitengo kidogo:	kumbukumbu
Mtengenezaji:	Micron Technology
mfululizo:	-
kifurushi:	Tray
hali ya sehemu:	Obsolete
aina ya kumbukumbu:	Volatile
muundo wa kumbukumbu:	DRAM
teknolojia:	SDRAM - Mobile LPDDR4
saizi ya kumbukumbu:	32Gb (1G x 32)
kiolesura cha kumbukumbu:	-
mzunguko wa saa:	2.133 GHz
andika wakati wa mzunguko - neno, ukurasa:	-
muda wa kufikia:	-
voltage - ugavi:	1.1V
joto la uendeshaji:	-30°C ~ 85°C (TC)
aina ya ufungaji:	Surface Mount
kifurushi / kesi:	200-VFBGA
kifurushi cha kifaa cha wasambazaji:	200-VFBGA (10x14.5)

Vidokezo vya joto: Tafadhali jaza fomu iliyo hapa chini. Tutawasiliana nawe haraka iwezekanavyo.

Lixinc itatoa bei za ushindani zaidi kwako, tafadhali rejelea nukuu.

[email protected]

LIXINC

Tuma Ujumbe

Tafadhali jisikie huru kuwasiliana nasi kwa maelezo.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015