IS61NVF25672-6.5B1I | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) IS61NVF25672-6.5B1I | IS61NVF25672-6.5B1I Inventory, Best Pricing

IS61NVF25672-6.5B1I

Panua

Kwa Marejeleo Pekee

Nambari ya Sehemu	IS61NVF25672-6.5B1I
LIXINC Part #	IS61NVF25672-6.5B1I
Mtengenezaji	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Kategoria	nyaya zilizounganishwa › kumbukumbu
Maelezo	IC SRAM 18MBIT PARALLEL 209LFBGA
Mzunguko wa maisha	Inayotumika
RoHS	Hakuna Taarifa za RoHS
EDA/CAD Models	IS61NVF25672-6.5B1I Alama ya PCB na Alama
Maghala	Marekani, Ulaya, China, Hong Kong SAR
Uwasilishaji Unaokadiriwa	Oct 30 - Nov 03 2024(Chagua Usafirishaji wa Haraka)
Udhamini	Hadi mwaka 1 [Dhamana-Chache]*
Malipo
Usafirishaji

IS61NVF25672-6.5B1I Vipimo

Nambari ya Sehemu:	IS61NVF25672-6.5B1I
Chapa:	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Mzunguko wa maisha:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	nyaya zilizounganishwa
Kitengo kidogo:	kumbukumbu
Mtengenezaji:	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
mfululizo:	-
kifurushi:	Tray
hali ya sehemu:	Obsolete
aina ya kumbukumbu:	Volatile
muundo wa kumbukumbu:	SRAM
teknolojia:	SRAM - Synchronous, SDR
saizi ya kumbukumbu:	18Mb (256K x 72)
kiolesura cha kumbukumbu:	Parallel
mzunguko wa saa:	133 MHz
andika wakati wa mzunguko - neno, ukurasa:	-
muda wa kufikia:	6.5 ns
voltage - ugavi:	2.375V ~ 2.625V
joto la uendeshaji:	-40°C ~ 85°C (TA)
aina ya ufungaji:	Surface Mount
kifurushi / kesi:	209-BGA
kifurushi cha kifaa cha wasambazaji:	209-LFBGA (14x22)

Vidokezo vya joto: Tafadhali jaza fomu iliyo hapa chini. Tutawasiliana nawe haraka iwezekanavyo.

Lixinc itatoa bei za ushindani zaidi kwako, tafadhali rejelea nukuu.

[email protected]

LIXINC

Tuma Ujumbe

Tafadhali jisikie huru kuwasiliana nasi kwa maelezo.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015