THGBMHG8C4LBAWR | Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.) THGBMHG8C4LBAWR

THGBMHG8C4LBAWR

Panua

Kwa Marejeleo Pekee

Nambari ya Sehemu	THGBMHG8C4LBAWR
LIXINC Part #	THGBMHG8C4LBAWR
Mtengenezaji	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Kategoria	nyaya zilizounganishwa › kumbukumbu
Maelezo	IC FLASH 256GBIT EMMC 153WFBGA
Mzunguko wa maisha	Inayotumika
RoHS	Hakuna Taarifa za RoHS
EDA/CAD Models	THGBMHG8C4LBAWR Alama ya PCB na Alama
Maghala	Marekani, Ulaya, China, Hong Kong SAR
Uwasilishaji Unaokadiriwa	Oct 27 - Oct 31 2024(Chagua Usafirishaji wa Haraka)
Udhamini	Hadi mwaka 1 [Dhamana-Chache]*
Malipo
Usafirishaji

THGBMHG8C4LBAWR Vipimo

Nambari ya Sehemu:	THGBMHG8C4LBAWR
Chapa:	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Mzunguko wa maisha:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	nyaya zilizounganishwa
Kitengo kidogo:	kumbukumbu
Mtengenezaji:	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
mfululizo:	e•MMC™
kifurushi:	Tray
hali ya sehemu:	Obsolete
aina ya kumbukumbu:	Non-Volatile
muundo wa kumbukumbu:	FLASH
teknolojia:	FLASH - NAND
saizi ya kumbukumbu:	256Gb (32G x 8)
kiolesura cha kumbukumbu:	eMMC
mzunguko wa saa:	52 MHz
andika wakati wa mzunguko - neno, ukurasa:	-
muda wa kufikia:	-
voltage - ugavi:	2.7V ~ 3.6V
joto la uendeshaji:	-40°C ~ 85°C (TA)
aina ya ufungaji:	Surface Mount
kifurushi / kesi:	153-WFBGA
kifurushi cha kifaa cha wasambazaji:	153-WFBGA (11.5x13)