MT46H128M16LFB7-6 WT:B | Micron Technology MT46H128M16LFB7-6 WT:B | MT46H128M16LFB7-6 WT:B Inventory, Best Pricing

MT46H128M16LFB7-6 WT:B

Panua

Kwa Marejeleo Pekee

Nambari ya Sehemu	MT46H128M16LFB7-6 WT:B
LIXINC Part #	MT46H128M16LFB7-6 WT:B
Mtengenezaji	Micron Technology
Kategoria	nyaya zilizounganishwa › kumbukumbu
Maelezo	IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60VFBGA
Mzunguko wa maisha	Inayotumika
RoHS	Hakuna Taarifa za RoHS
EDA/CAD Models	MT46H128M16LFB7-6 WT:B Alama ya PCB na Alama
Maghala	Marekani, Ulaya, China, Hong Kong SAR
Uwasilishaji Unaokadiriwa	Oct 25 - Oct 29 2024(Chagua Usafirishaji wa Haraka)
Udhamini	Hadi mwaka 1 [Dhamana-Chache]*
Malipo
Usafirishaji

MT46H128M16LFB7-6 WT:B Vipimo

Nambari ya Sehemu:	MT46H128M16LFB7-6 WT:B
Chapa:	Micron Technology
Mzunguko wa maisha:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	nyaya zilizounganishwa
Kitengo kidogo:	kumbukumbu
Mtengenezaji:	Micron Technology
mfululizo:	-
kifurushi:	Tray
hali ya sehemu:	Obsolete
aina ya kumbukumbu:	Volatile
muundo wa kumbukumbu:	DRAM
teknolojia:	SDRAM - Mobile LPDDR
saizi ya kumbukumbu:	2Gb (128M x 16)
kiolesura cha kumbukumbu:	Parallel
mzunguko wa saa:	166 MHz
andika wakati wa mzunguko - neno, ukurasa:	15ns
muda wa kufikia:	5 ns
voltage - ugavi:	1.7V ~ 1.95V
joto la uendeshaji:	-25°C ~ 85°C (TA)
aina ya ufungaji:	Surface Mount
kifurushi / kesi:	60-VFBGA
kifurushi cha kifaa cha wasambazaji:	60-VFBGA (10x10)

Vidokezo vya joto: Tafadhali jaza fomu iliyo hapa chini. Tutawasiliana nawe haraka iwezekanavyo.

Lixinc itatoa bei za ushindani zaidi kwako, tafadhali rejelea nukuu.

[email protected]

LIXINC

Tuma Ujumbe

Tafadhali jisikie huru kuwasiliana nasi kwa maelezo.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015